发明

嵌在二维材料层间的石墨烯纳米带及其制备方法

2023-08-17 07:10:02 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310558549.1
  • 公开(公告)日:2025-06-03
  • 公开(公告)号:CN116588919A
  • 申请人:上海交通大学
摘要:本发明提供一种嵌在二维材料层间的石墨烯纳米带及其制备方法,该石墨烯纳米带结构包括:具有原子级平整度的衬底,由至少两个原子层依次平行堆叠形成,且相邻两原子层之间通过范德华力结合;至少一个纵切面,自衬底表面沿衬底厚度方向延伸一个或多个原子层厚度的衬底形成;至少一个石墨烯纳米带,冲破纵切面处裸露的任意相邻两原子层的范德华力嵌入该两层原子层之间,被衬底材料封装。形成的石墨烯纳米带嵌于具有原子级平整度的衬底中,与外界环境隔绝,使得石墨烯纳米带具有接近本征纳米带的物性,规整的边缘结构;另外该制备方法操作简单,成本较低,且可以大规模生产,具有较佳的产业化价值。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116588919 A (43)申请公布日 2023.08.15 (21)申请号 202310558549.1 (22)申请日 2023.05.18 (71)申请人 上海交通大学 地址 200240 上海市闵行区东川路800号 (72)发明人 史志文 吕博赛 陈佳俊 娄硕  沈沛约  (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 贺妮妮 (51)Int.Cl. C01B 32/186 (2017.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图3页 (54)发明名称 嵌在二维材料层间的石墨烯纳米带及其制 备方法 (57)摘要 本发明提供一种嵌在二维材料层间的石墨 烯纳米带及其制备方法,该石墨烯纳米带结构包 括:具有原子级平整度的衬底,由至少两个原子 层依次平行堆叠形成,且相邻两原子层之间通过 范德华力结合;至少一个纵切面,自衬底表面沿 衬底厚度方向延伸一个或多个原子层厚度的衬 底形成 ;至少一个石墨烯纳米带,冲破纵切面处 裸露的任意相邻两原子层的范德华力嵌入该两 层原子层之间,被衬底材料封装。形成的石墨烯 纳米带嵌于具有原子级平整度的衬底中,与外界 环境隔绝,使得石墨烯纳米带具有接近本征纳米 A 带的物性,规整的边缘结构;另外该制备方法操 9 作简单,成本较低,且可以大规模生产,具有较佳 1 9 8 的产业化价值。 8 5 6

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