一种金属磁栅材料及其制备方法和应用2025
- 申请专利号:CN202311062321.X
- 公开(公告)日:2025-08-01
- 公开(公告)号:CN117165904A
- 申请人:山东麦格智芯机电科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117165904 A (43)申请公布日 2023.12.05 (21)申请号 202311062321.X (22)申请日 2023.08.22 (71)申请人 山东麦格智芯机电科技有限公司 地址 255400 山东省淄博市临淄区齐都镇 齐都路52号505室 (72)发明人 于广华 徐秀兰 冯春 曹易 (74)专利代理机构 北京市广友专利事务所有限 责任公司 11237 专利代理师 张仲波 王睿 (51)Int.Cl. C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/58 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 (54)发明名称 一种金属磁栅材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种金属磁栅材料及其制备 方法和应用。金属磁栅材料,包括依次设置的不 锈钢基底层、缓冲层、FeCoCr纳米薄膜层和保护 层,缓冲层由TiAl构成,不锈钢基底的表面粗糙 度Ra为0.1‑0 .2;缓冲层的厚度为100‑500nm ; FeCoCr纳米薄膜层的厚度为200nm‑500nm。本发 明提供的金属磁栅材料机械性能与磁性能好,制 备过程简单,具有广阔的应用前景。 A 4 0 9 5 6 1 7 1 1
原创力.专利