一种上下转换双发射荧光碳点及其制备方法与用途2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117625186 A (43)申请公布日 2024.03.01 (21)申请号 202311580491.7 (22)申请日 2023.11.24 (71)申请人 西南大学 地址 400700 重庆市北碚区天生路2号 (72)发明人 谭克俊　朱玉琳　李奇锐　孙康炜　 成诗渝　 (74)专利代理机构 重庆智盛东唐专利代理事务 所(普通合伙) 50309 专利代理师 穆云 (51)Int.Cl. C09K 11/65 (2006.01) C01B 32/15 (2017.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) G01N 21/64 (2006.01) 权利要求书1页 说明书15页 附图5页 (54)发明名称 一种上下转换双发射荧光碳点及其制备方 法与用途 (57)摘要 本发明涉及纳米发光材料技术领域，尤其涉 及一种上下转换双发射荧光碳点及其制备方法 与用途。一种上下转换双发射荧光碳点，碳点包 括吖啶黄和2‑氨基对苯二甲酸，一种上下转换双 发射荧光碳点的应用，将碳点在制备检测CA的探 针上应用。本发明提供的一种上下转换双发射荧 光碳点及其制备方法与用途，通过吖啶黄和2‑氨 基对苯二甲酸为原料，采用一步混合溶剂热法合 成了具有上/下转换双发射的荧光碳点(U/D‑ CDs) ；U/D‑CDs在上下转换双激发通道