金属氧化物有序交叉纳米线阵列及其制备方法

专利内容

本发明属于纳米半导体材料技术领域，具体为金属氧化物有序交叉纳米线阵列材料及其制备方法。本发明以两亲性嵌段共聚物作为模板剂，四氢呋喃等作为溶剂，多金属氧酸盐作为无机前驱体合成金属氧化物有序交叉纳米线；其中，嵌段共聚物起到结构导向剂的作用，其亲水端与多金属氧酸盐阴离子通过静电作用力结合，在溶剂中形成核壳柱状胶束，在溶剂挥发过程中自组装形成层层交叉堆叠的有机‑无机复合有序纳米结构；在空气中焙烧除掉高分子模板剂，得到组成元素多样的金属氧化物有序交叉纳米线。所合成的金属氧化物半导体纳米线材料具有高比表面积和高结晶度，同时实现了杂原子的均匀掺杂。本发明方法简单，原料易得，适于放大生产。