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发明

一种用于薄膜滤波器的薄膜浓度掺杂方法

2023-07-02 07:00:04 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202210806989.X
  • 公开（公告）日：2023-06-30
  • 公开（公告）号：CN115001428A
  • 申请人：深圳新声半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种用于薄膜滤波器的薄膜浓度掺杂方法。所述薄膜浓度掺杂方法包括：根据所述薄膜滤波器结构要求确定所述薄膜滤波器的压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层的层数和所述每个掺钪压电子层的厚度；依据所述压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层的层数设置每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度；按照每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度制备所述薄膜滤波器的每个晶圆的压电层。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115001428 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210806989.X (22)申请日 2022.07.11 (71)申请人 深圳新声半导体有限公司 地址 518049 广东省深圳市福田区梅林街 道梅都社区中康路136号深圳新一代 产业园3栋801 (72)发明人 不公告发明人　 (51)Int.Cl. H03H 3/02 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01) H03H 9/56 (2006.01) H03H 9/58 (2006.01) H01L 41/31 (2013.01) H01L 41/35 (2013.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 一种用于薄膜滤波器的薄膜浓度掺杂方法 (57)摘要 本发明提出了一种用于薄膜滤波器的薄膜 浓度掺杂方法。所述薄膜浓度掺杂方法包括：根 据所述薄膜滤波器结构要求确定所述薄膜滤波 器的压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层 的层数和所述每个掺钪压电子层的厚度；依据所 述压电层结构内部所需包含的掺钪压电子层的 层数设置每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度；按 照每个所述掺钪压电子层的掺钪浓度制备所述 薄膜滤波器的每个晶圆的压电层。 A 8 2 4 1 0 0 5 1 1 N C CN 115001428 A 权　利　要　求　书

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