氧化镓衬底及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117855049 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202410145119.1 (22)申请日 2024.02.01 (71)申请人 中国科学院半导体研究所 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35 号 (72)发明人 张逸韵　姚然　杨华　伊晓燕　 王军喜　 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 专利代理师 肖慧 (51)Int.Cl. H01L 21/428 (2006.01) H01L 21/465 (2006.01) H01L 23/367 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图4页 (54)发明名称 氧化镓衬底及其制备方法 (57)摘要 提供了一种氧化镓衬底及其制备方法，所述 方法包括以下步骤：按照激光烧蚀版图，采用激 光烧蚀法在所述初始氧化镓衬底表面加工出第 一沟槽；对所述第一沟槽进行湿法化学腐蚀修复 得到第二沟槽；以及在所述第二沟槽内填充导热 层，以形成具有导热层的氧化镓衬底。通过激光 刻蚀加工方法填充高导热材料，得到的具有导热 层的氧化镓衬底结构简单，散热性能优异。 A 9 4 0 5 5 8 7 1 1 N C CN 117855049 A 权　利　要　求　书