一种半导体用ITO的刻蚀液及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116179205 A (43)申请公布日 2023.05.30 (21)申请号 202310045950.5 (22)申请日 2023.01.30 (71)申请人 昆山晶科微电子材料有限公司 地址 215000 江苏省苏州市昆山市千灯镇 致威路259号 (72)发明人 吴海燕　陈桂红　童晨　孙元　 韩成强　 (74)专利代理机构 北京维正专利代理有限公司 11508 专利代理师 柯胡成 (51)Int.Cl. C09K 13/06 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 (54)发明名称 一种半导体用ITO的刻蚀液及其制备方法 (57)摘要 本申请涉及半导体材料领域，具体公开了一 种半导体用ITO的刻蚀液及其制备方法。由包括 以下重量份的原料制成：三氯化铁25‑32份，草酸 1‑5份，盐酸5‑10份，水100‑120份，金属络合剂5‑ 10份，聚甲基氢硅氧烷5‑10份，乙烯基乙二醇醚 5‑10份。本申请通过使用金属络合剂与刻蚀过程 中的金属离子络合，并且及时脱离基材，减少了 金属离子容易与酸反应生成沉淀的现象。同时还 使用了聚甲基氢硅氧烷和乙烯基乙二醇醚，使得 刻蚀液具有优异的消泡、抑泡性能 ，同时与金属 络合剂相互结合，提高刻蚀液刻蚀效率，减少刻 蚀残渣的形成。 A 5 0 2 9 7 1 6 1 1 N C CN 116179205 A