半导体结构及半导体结构的形成方法

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(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113809175 A (43)申请公布日 2021.12.17 (21)申请号 202010538103.9 B82Y 10/00 (2011.01) (22)申请日 2020.06.12 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 (72)发明人 纪世良　王胜　张海洋　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 徐文欣 (51)Int.Cl. H01L 29/78 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01) 权利要求书3页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 半导体结构及半导体结构的形成方法 (57)摘要 一种半导体结构及半导体结构的形成方法， 结构包括：衬底；位于衬底上的底层纳米线；位于 底层纳米线上的第一纳米结构和第二纳米结构， 所述第一纳米结构和第二纳米结构之间具有第 一开口，所述第一开口的底部平面高于所述衬底 表面；位于第一开口内的隔离结构；位于衬底上 的栅极结构，所述栅极结构横跨所述隔离结构、 第一纳米结构和第二纳米结构。所述半导体结构 的性能得到提升。 A 5 7 1