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PCT发明

溅射靶及溅射靶的制造方法

2023-04-24 09:42:23 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080044257.0
  • 公开（公告）日：2024-06-25
  • 公开（公告）号：CN114008237A
  • 申请人：株式会社爱发科
摘要：本发明提供了一种代替IGZO的高特性的氧化物半导体薄膜制造用的溅射靶及其制造方法。为了达成上述目的，本发明的一个方式的溅射靶由包含铟、锡以及锗的氧化物烧结体构成，锗相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.07以上且0.40以下，锡相对于铟、锡及锗的总和的原子比为0.04以上且0.60以下。由此，能够得到具有10cm2/Vs以上的迁移率的晶体管特性。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114008237 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202080044257.0 (74)专利代理机构 北京柏杉松知识产权代理事 务所(普通合伙) 11413 (22)申请日 2020.04.27 代理人 陈玲　刘继富 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2019-120968 2019.06.28 JP C23C 14/34 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C04B 35/01 (2006.01) 2021.12.16 H01L 21/363 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2020/017912 2020.04.27 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/261748 JA 2020.12.30 (71)申请人 株式会社爱发科 地址 日本神奈川县 (72)发明人 武

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