光掩模结构和光刻设备

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113238454 A (43)申请公布日 2021.08.10 (21)申请号 202110342840.6 (22)申请日 2021.03.30 (71)申请人 上海华力微电子有限公司 地址 201315 上海市浦东新区良腾路6号 (72)发明人 王保光　马芳　 (74)专利代理机构 上海思微知识产权代理事务 所(普通合伙) 31237 代理人 周耀君 (51)Int.Cl. G03F 1/00 (2012.01) G03F 1/38 (2012.01) G03F 1/40 (2012.01) B08B 17/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 光掩模结构和光刻设备 (57)摘要 本发明提供一种光掩模结构和一种光刻设 备。所述光掩模结构包括掩模版和防尘膜框架， 所述掩模版包括芯片图案区域和位于芯片图案 区域周围的边缘区域，所述边缘区域内设置有透 光结构；所述防尘膜框架设置在所述掩模版的背 面，所述防尘膜框架在掩模版背面的正投影位于 边缘区域内，且所述透光结构设置于防尘膜框架 在掩模版背面的正投影的范围内。利用所述光掩 模结构进行曝光时，曝光光线周围的散射光在透 过透光结构后被防尘膜框架阻挡而难以传递到 基片表面，可以降低在基片表面产生非必要图像 的风险，有助于提高曝光质量及生产良率。所述 A 光刻设备利用上述光掩模结构进行曝光。 4 5 4