一种碳化钽涂层的制备方法2024
- 申请专利号:CN202311600772.4
- 公开(公告)日:2024-06-11
- 公开(公告)号:CN117587361A
- 申请人:苏州清研半导体科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117587361 A (43)申请公布日 2024.02.23 (21)申请号 202311600772.4 (22)申请日 2023.11.28 (71)申请人 苏州清研半导体科技有限公司 地址 215127 江苏省苏州市吴中区甪直镇 东方大道268号中科半导体产业社区A 幢802-803室、B幢1-2层 (72)发明人 石林 杨倩倩 (74)专利代理机构 苏州谨和知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 32295 专利代理师 吕超 (51)Int.Cl. C23C 14/18 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种碳化钽涂层的制备方法 (57)摘要 本申请涉及碳化钽涂层的制备方法,包括: S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基 台上;S2、将腔室抽取真空,并充入气氛;S3、驱动 基台旋转,启动钽靶,在碳基基材上沉积第一涂 层至第一沉积时间;S4、维持钽靶功率,引入碳源 并逐渐增加碳原子含量,在第一涂层上沉积第二 涂层至第二沉积时间;S5、维持钽靶功率和碳原 子含量,在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积 时间,得到具有涂层的碳基基材;S6、将具有涂层 的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使 得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中 的碳和钽反应,得