发明

基于固相球磨法制备高比表面积羟基磷灰石材料的方法2023

2023-12-02 07:20:36 发布于四川 33
  • 申请专利号:CN202311189847.4
  • 公开(公告)日:2023-11-28
  • 公开(公告)号:CN117125685A
  • 申请人:沈阳师范大学
摘要:本发明公开了一种基于固相球磨法制备高比表面积羟基磷灰石材料的方法,采用固相机械球磨法,一步制备出高比表面积的纳米HAP,利用投入不同的钙盐及磷酸氢盐进行配比,控制制备工艺条件,实现对HAP比表面积、孔容及孔结构的调控。该制备方法所得到的介孔HAP具有高的比表面积,解决了以往在常温下合成的HAP比表面积小、制备工艺复杂、成本高等缺点,该制备过程不需要大量溶剂,不会引入新的杂质及污染物,并且在室温下就可以快速合成;具有工艺路线简单、普适性强、合成时间短、产品纯度高等优点,有利于大规模工业化生产。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117125685 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311189847.4 (22)申请日 2023.09.15 (71)申请人 沈阳师范大学 地址 110034 辽宁省沈阳市黄河北大街253 号(道义开发区) (72)发明人 苗雨欣 赵震 王学民 韩思影  叶云 李佳慧  (74)专利代理机构 沈阳维特专利商标事务所 (普通合伙) 21229 专利代理师 王翠 (51)Int.Cl. C01B 25/32 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图5页 (54)发明名称 基于固相球磨法制备高比表面积羟基磷灰 石材料的方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于固相球磨法制备高 比表面积羟基磷灰石材料的方法,采用固相机械 球磨法,一步制备出高比表面积的纳米HAP,利用 投入不同的钙盐及磷酸氢盐进行配比,控制制备 工艺条件,实现对HAP比表面积、孔容及孔结构的 调控。该制备方法所得到的介孔HAP具有高的比 表面积,解决了以往在常温下合成的HAP比表面 积小、制备工艺复杂、成本高等缺点,该制备过程 不需要大量溶剂,不会引入新的杂质及污染物, 并且在室温下就可以快速合成;具有工艺路线简 单、普适性强、合成时间短、产品纯度高等优点, A 有利于大规模工业化生产。 5 8 6 5 2 1 7 1

最新专利