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一种晶体材料及其制备方法和应用

2023-05-28 09:06:53 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211085722.2
  • 公开(公告)日:2024-10-01
  • 公开(公告)号:CN115976647A
  • 申请人:中国科学院福建物质结构研究所
摘要:本申请公开了一种晶体材料及其制备方法和应用,属于光学材料领域。一种晶体材料,所述晶体材料的化学式为2(C3N6H6)·(C3N6H7)·PF6·H2O;所述晶体材料含有π共轭构筑单元;所述π共轭构筑单元为(C3N6)3‑;所述π共轭构筑单元垂直于c轴;所述π共轭构筑单元呈层状排列。该材料经第一性原理计算显示该晶体具有较大的双折射率。在1020nm下的双折射率为0.2545;该双折射晶体材料在200nm~2500nm广谱范围内具有良好的透过率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115976647 A (43)申请公布日 2023.04.18 (21)申请号 202211085722.2 G02B 27/28 (2006.01) (22)申请日 2022.09.06 (71)申请人 中国科学院福建物质结构研究所 地址 350002 福建省福州市鼓楼区杨桥西 路155号 (72)发明人 刘乐辉 林州斌 张莉珍 苑菲菲  黄溢声  (74)专利代理机构 北京元周律知识产权代理有 限公司 11540 专利代理师 孙小万 (51)Int.Cl. C30B 29/54 (2006.01) C30B 7/14 (2006.01) G02B 1/02 (2006.01) G02B 5/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种晶体材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本申请公开了一种晶体材料及其制备方法 和应用,属于光学材料领域。一种晶体材料,所述 晶体材料的化学式为2 (C N H ) ·(C N H ) · 3 6 6 3 6 7 PF ·H O;所述晶体材料含有 π共轭构筑单元 ; 6 2 3‑ 所述 π共轭构筑单

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