一种LED芯片制备方法及LED芯片2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116845152 A (43)申请公布日 2023.10.03 (21)申请号 202310915946.X (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人 江西兆驰半导体有限公司 地址 330000 江西省南昌市南昌高新技术 产业开发区天祥北大道1717号 (72)发明人 周志兵　张星星　林潇雄　胡加辉　 金从龙　 (74)专利代理机构 南昌旭瑞知识产权代理事务 所(普通合伙) 36150 专利代理师 梁耀锋 (51)Int.Cl. H01L 33/00 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01) H01L 33/42 (2010.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种LED芯片制备方法及LED芯片 (57)摘要 本发明提供一LED芯片制备方法及LED芯片， 制备方法包括，提供一包含ITO膜层的半成品芯 片，在退火炉内满足预设条件温度时将ITO膜层 放入并进行渐进式升温直至达到终点温度完成 退火处理，并在退火炉内渐进升温的同时对退火 炉内通入氧气，使退火炉内初始气体流量进行逐 步降低，对ITO膜层进行富氧处理，采用富氧化与 低温连续慢升温处理手段，对ITO膜层进行富氧 化处理及渐进升温方式，能够有效减少ITO膜的 氧空位和晶格缺陷问题，实现了优良的透光效 果，以及在表面形成良好的欧姆接触。 A 2 5 1 5