发明

基于富硫空位的硫化镍/硫化钴用于镍锌电池的制备方法2026

2024-04-11 07:22:55 发布于四川 152
  • 申请专利号:CN202311625689.2
  • 公开(公告)日:2026-05-29
  • 公开(公告)号:CN117843050A
  • 申请人:西安工程大学
摘要:本发明公开了一种基于富硫空位的硫化镍/硫化钴用于镍锌电池的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1、制备Ni掺杂的Co5(O9.48H8.52)NO3纳米片材料;步骤2、制备Ni3S2/Co3S4纳米片异质结材料;步骤3、制备富硫空位的Ni3S2/Co3S4纳米片异质结材料。本发明正极材料是绿色的、环境友好的,并且具有高的比表面积和高的电导率,相比于碱性Ni‑Zn电池的其他正极材料具有高的功率密度和面积比容量。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117843050 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202311625689.2 (22)申请日 2023.11.30 (71)申请人 西安工程大学 地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南 路19号 (72)发明人 梁苗苗 司逸伟 王海洋 张贺檬  付翀  (74)专利代理机构 西安弘理专利事务所 61214 专利代理师 许志蛟 (51)Int.Cl. C01G 53/11 (2006.01) C01G 51/00 (2006.01) H01M 10/30 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 基于富硫空位的硫化镍/硫化钴用于镍锌电 池的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于富硫空位的硫化镍/ 硫化钴用于镍锌电池的制备方法,具体按照以下 步骤实施:步骤1、制备Ni掺杂的Co (O H ) 5 9 .48 8 .52 NO 纳米片材料;步骤2、制备Ni S /Co S 纳米片 3 3 2 3 4 异质结材料;步骤3、制备富硫空位的Ni S /Co S 3 2 3 4 纳米片异质结材料。本发明正极材料是绿色的、 环境友好的,并且具有高

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