一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和应用

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113773536 A (43)申请公布日 2021.12.10 (21)申请号 202111055221.5 H01G 4/18 (2006.01) (22)申请日 2021.09.09 (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路52号 (72)发明人 翁凌　许子祺　关丽珠　王小明　 (74)专利代理机构 哈尔滨市阳光惠远知识产权 代理有限公司 23211 代理人 刘景祥 (51)Int.Cl. C08J 5/18 (2006.01) C08L 27/16 (2006.01) C08K 9/06 (2006.01) C08K 3/24 (2006.01) C08K 7/18 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图6页 (54)发明名称 一种高介电、低损耗和高击穿强度的聚偏氟 乙烯基复合材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明公开了一种高介电、低损耗和高击穿 强度的聚偏氟乙烯基复合材料及其制备方法和 应用，属于高性能电容器和储能器件等应用领 域。本发明要解决PVDF介电常数有限难以满足电 容器和储能器件对高介电性能要求的技术问题。 本发明是先用硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠， 纳米钛酸铋钠的形貌为球状，以聚偏氟乙烯作为 基体；方法：将硅烷偶联剂改性的纳米钛酸铋钠