带有超导磁体的等离子体CVD装置
- 申请专利号:CN202211313351.9
- 公开(公告)日:2024-11-08
- 公开(公告)号:CN115717237A
- 申请人:新优势产业集团有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115717237 A (43)申请公布日 2023.02.28 (21)申请号 202211313351.9 (22)申请日 2022.10.25 (71)申请人 新优势产业集团有限公司 地址 310051 浙江省杭州市滨江区滨康路 680号1幢208室 (72)发明人 徐晰人 金国辉 杨晓亮 (74)专利代理机构 杭州杭诚专利事务所有限公 司 33109 专利代理师 樊铮 (51)Int.Cl. C23C 16/511 (2006.01) C23C 16/46 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 带有超导磁体的等离子体CVD装置 (57)摘要 本发明公开了一种带有超导磁体的等离子 体CVD装置腔体的顶部设有超导磁体,超导磁体 包括与变频电源相连的超导线圈及低温装置,超 导线圈的上端呈圆筒形,下端向外扩展形成上小 下大的喇叭形,腔体与超导磁体之间设有绝缘顶 板;腔体内设有基材台,基材台与腔体的底板之 间设有绝缘环,绝缘环内侧的底板中央设有微波 输入孔;微波发生器通过模式转换器及微波输入 孔与腔体连接,腔体的一侧设有腔体升降装置。 本发明的等离子体CVD装置中,等离子体中的碳 不仅可以向下沉积,还可以横向沉积,从而可以 适用于立体结构的基材,大大扩展了CVD装置的 A