成膜方法和成膜装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118086867 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202311547604.3 C23C 16/02 (2006.01) (22)申请日 2023.11.20 (30)优先权数据 2022-189358 2022.11.28 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 小野寺聪　户根川大和　小川淳　 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事 务所(普通合伙) 11277 专利代理师 刘新宇　李靖 (51)Int.Cl. C23C 16/34 (2006.01) C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/56 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图10页 (54)发明名称 成膜方法和成膜装置 (57)摘要 本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够 形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式 的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供 给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板， 所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原 子的环状结构；热氮化工序，在包含氮化气体的 气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述 基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将 所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的