一种五氟化锑的连续生产方法及其应用
- 申请专利号:CN202210362905.8
- 公开(公告)日:2023-09-08
- 公开(公告)号:CN114655982A
- 申请人:九江诺尔新材料科技有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114655982 A (43)申请公布日 2022.06.24 (21)申请号 202210362905.8 (22)申请日 2022.04.07 (71)申请人 九江诺尔新材料科技有限公司 地址 332500 江西省九江市湖口县双钟镇 大岭路3号 (72)发明人 李文盛 (74)专利代理机构 长沙启昊知识产权代理事务 所(普通合伙) 43266 专利代理师 李儒 (51)Int.Cl. C01G 30/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 一种五氟化锑的连续生产方法及其应用 (57)摘要 本发明公开了一种五氟化锑的连续生产方 法及其应用,方法包括,将五氟化锑加入到圆筒 状的反应器内并加热熔融,反应器内竖直设置有 仅与底部存在间隙的隔墙,将三氧化二锑和由氟 气和惰性气体组成的混合气体分别从反应器的 顶部的进料口和底部的进气口连续连续加入,进 料口和进气口设置在隔墙的同一侧,控制所述反 应器内的温度为260‑300℃,从设置在隔墙的另 一侧的顶部的出气口连续抽取反应得到的产品 气体并进行后处理即可。本发明通过气‑液‑固三 相反应及反应气体搅拌强化传质,五氟化锑的产 3 能大于90kg/m ·h,氟气的利用率大于99%;产 A 品连续产出,生产能力大且产品中五氟化锑的含 2 量可达到99.95wt%以上。 8 9 5 5 6 4 1 1
最新专利
- 一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质公开日期:2025-07-04公开号:CN116312733A申请号:CN202310109331.8一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质
- 发布时间:2023-06-27 09:31:510
- 申请号:CN202310109331.8
- 公开号:CN116312733A
- 用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备公开日期:2025-07-04公开号:CN113272905A申请号:CN201980088355.1用于检测具有时变位错误率的存储器中的缺陷的方法和设备
- 发布时间:2023-06-17 07:21:440
- 申请号:CN201980088355.1
- 公开号:CN113272905A
- 基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路公开日期:2025-07-04公开号:CN114333944A申请号:CN202111664072.2基于三值忆阻器交叉阵列的编码-存储-译码电路
- 发布时间:2023-05-06 10:07:070
- 申请号:CN202111664072.2
- 公开号:CN114333944A
- 存储运算电路公开日期:2025-07-04公开号:CN114333952A申请号:CN202111655724.6存储运算电路
- 发布时间:2023-05-06 10:06:210
- 申请号:CN202111655724.6
- 公开号:CN114333952A
- 数据输出电路公开日期:2025-07-04公开号:CN116052735A申请号:CN202310085879.3数据输出电路
- 发布时间:2023-05-12 09:56:410
- 申请号:CN202310085879.3
- 公开号:CN116052735A
- 一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法公开日期:2025-07-04公开号:CN116030863A申请号:CN202310103377.9一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法
- 发布时间:2023-05-15 09:28:410
- 申请号:CN202310103377.9
- 公开号:CN116030863A