一种降低碳化硅晶体应力的生长方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116334748 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202310277916.0 (22)申请日 2023.03.21 (71)申请人 杭州乾晶半导体有限公司 地址 310000 浙江省杭州市萧山区建设三 路733号信息港五期一号楼205-2 (72)发明人 宋天粮　 (74)专利代理机构 杭州裕阳联合专利代理有限 公司 33289 专利代理师 金方玮 (51)Int.Cl. C30B 23/00 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) C30B 27/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种降低碳化硅晶体应力的生长方法 (57)摘要 本发明公开了一种降低碳化硅晶体应力的 生长方法，使用硬质石墨和多孔石墨制作坩埚衬 环，放置于籽晶与石墨坩埚之间，通过计算模拟 调整硬质石墨和多种石墨的厚度、形状、结合形 式，使得在晶体生长过程中，生长初期将硅气氛 有效排出，减弱对碳化硅形核的负面影响，在保 持等径或扩径生长的晶体外形的同时，也能够通 过压缩多孔石墨的孔隙来达到释放热应力的效 果，减少晶锭中裂痕和开裂情况的发生，降低微 管，晶界和位错缺陷的密度，获得高品质的晶锭。 A 8 4 7 4 3 3 6 1 1 N C CN 116334748 A 权　利　要　求　书