发明

一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法

2023-06-07 23:02:36 发布于四川 8
  • 申请专利号:CN202211474585.1
  • 公开(公告)日:2025-01-03
  • 公开(公告)号:CN115786915A
  • 申请人:江阴江化微电子材料股份有限公司
摘要:本发明公开了一种半导体封装用铜蚀刻液,按质量百分比计,主要组分为:氧化剂1%~8%、无机酸21%~40%、有机羧酸6%~30%、螯合剂0.001%~15%、腐蚀抑制剂0~3%以及余量去离子水;有机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成,第一羧酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种,第二羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。本发明半导体封装用铜蚀刻液通过优选有机羧酸和调整蚀刻液组分含量,降低蚀刻速度,提高蚀刻精度,完全蚀刻去除铜种子层的同时,降低铜蚀刻液对重布线层和金属凸点中其他铜层的侧损失,使重布线层和金属凸点的形貌更趋规整,提高重布线层和金属凸点的结构稳定性。本发明还公开了一种基于半导体封装用铜蚀刻液的蚀刻方法。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115786915 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211474585.1 (22)申请日 2022.11.23 (71)申请人 江阴江化微电子材料股份有限公司 地址 214400 江苏省无锡市江阴市周庄镇 长寿云顾路581号 (72)发明人 王磊 承明忠 李森虎 符佳立  朱龙 孔兴贤  (74)专利代理机构 无锡坚恒专利代理事务所 (普通合伙) 32348 专利代理师 杜兴 (51)Int.Cl. C23F 1/18 (2006.01) C23F 1/44 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体封装用铜蚀刻液, 按质量百分比计,主要组分为:氧化剂1%~8%、无 机酸21%~40%、有机羧酸6%~30%、螯合剂0.001% ~15%、腐蚀抑制剂0~3%以及余量去离子水;有 机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成,第一羧 酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种,第二 羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。本发明半导 体封装用铜蚀刻液通过优选有机羧酸和调整蚀 刻液组分含量,降低蚀刻速度,提高蚀刻精度,完 全蚀刻去除铜种子层的同时,降低铜蚀刻液对重 布线层和金属凸点中其他铜层的侧损失,使重布 线层和金属凸点的形貌更趋规整,提高重布线层 A 和金属凸点的结构稳定性。本发明

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