一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法
- 申请专利号:CN202211474585.1
- 公开(公告)日:2025-01-03
- 公开(公告)号:CN115786915A
- 申请人:江阴江化微电子材料股份有限公司
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115786915 A (43)申请公布日 2023.03.14 (21)申请号 202211474585.1 (22)申请日 2022.11.23 (71)申请人 江阴江化微电子材料股份有限公司 地址 214400 江苏省无锡市江阴市周庄镇 长寿云顾路581号 (72)发明人 王磊 承明忠 李森虎 符佳立 朱龙 孔兴贤 (74)专利代理机构 无锡坚恒专利代理事务所 (普通合伙) 32348 专利代理师 杜兴 (51)Int.Cl. C23F 1/18 (2006.01) C23F 1/44 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种半导体封装用铜蚀刻液及蚀刻方法 (57)摘要 本发明公开了一种半导体封装用铜蚀刻液, 按质量百分比计,主要组分为:氧化剂1%~8%、无 机酸21%~40%、有机羧酸6%~30%、螯合剂0.001% ~15%、腐蚀抑制剂0~3%以及余量去离子水;有 机羧酸由第一羧酸和第二羧酸组合而成,第一羧 酸选自一元羧酸和二元羧酸中的至少一种,第二 羧酸为三元以上羧酸中的至少一种。本发明半导 体封装用铜蚀刻液通过优选有机羧酸和调整蚀 刻液组分含量,降低蚀刻速度,提高蚀刻精度,完 全蚀刻去除铜种子层的同时,降低铜蚀刻液对重 布线层和金属凸点中其他铜层的侧损失,使重布 线层和金属凸点的形貌更趋规整,提高重布线层 A 和金属凸点的结构稳定性。本发明