一种电子束直写装置2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117850168 A (43)申请公布日 2024.04.09 (21)申请号 202311606778.2 (22)申请日 2023.11.28 (71)申请人 上海集成电路材料研究院有限公司 地址 200810 上海市嘉定区皇庆路3333号1 号楼10F (72)发明人 刘强　王诗男　 (74)专利代理机构 上海光华专利事务所(普通 合伙) 31219 专利代理师 余明伟 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 一种电子束直写装置 (57)摘要 本发明提供一种电子束直写装置，包括控制 模块以及至少一个电子束源输出模块；控制模块 用于产生i种控制信号；i为大于等于2的整数；各 电子束源输出模块中任一电子束源输出模块在 同时接收到i种控制信号时开启，进而发射对应 的电子束；其中，各电子束源输出模块均包括接 收单元、束流强度调控单元以及输出单元；束流 强度调控单元用于提供强度调控信号；各接收单 元的i个控制端在同时接收到i种控制信号时产 生开启信号；各输出单元基于接收的开启信号以 及强度调控信号发射对应的电子束并通过强度 调控信号调控电子束的束流强度。本发明有效解 A 决了电子束源阵列中各电子束源的束流强度不 8 一致导致的直写时间不一致，均匀性不一致等问 6 1 0 题。 5