一种延长CuInSe2量子点荧光寿命的方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064152 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202211482643.5 (22)申请日 2022.11.24 (71)申请人 中国科学院大连化学物理研究所 地址 116023 辽宁省大连市沙河口区中山 路457号 (72)发明人 吴凯丰　何山　 (74)专利代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限 公司 21002 专利代理师 马驰 (51)Int.Cl. C09K 11/88 (2006.01) C09K 11/02 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种延长CuInSe 量子点荧光寿命的方法 2 (57)摘要 本发明涉及一种调控CuInSe 量子点辐射寿 2 命的方法，通过配体交换，将三线态能量接近 CuInSe 量子点激子态的配体修饰在量子点表 2 面，CuInSe 量子点的激子能量能很快地转移到 2 配体分子的三线态上，同时由于分子三线态的能 量接近CuInSe 量子点激子能量，所以还能发生 2 从分子三线态回到CuInSe 量子点激子