一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116444167 A (43)申请公布日 2023.07.18 (21)申请号 202310480173.7 (22)申请日 2023.04.28 (71)申请人 中国工程物理研究院激光聚变研究 中心 地址 621999 四川省绵阳市绵山路64号 (72)发明人 邵婷　孙来喜　吴卫东　叶鑫　 黎维华　 肖凯博　高松　张晓璐　 郑建刚　 (74)专利代理机构 北京同辉知识产权代理事务 所(普通合伙) 11357 专利代理师 于晶晶 (51)Int.Cl. C03C 15/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤 性能的刻蚀方法 (57)摘要 本发明涉及一种提升熔石英元件抗紫外激 光诱导损伤性能的刻蚀方法，属于熔石英元件加 工技术领域，对熔石英元件的表面进行反应离子 刻蚀处理，所述反应离子刻蚀采用的等离子体包 括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体，本 发明采用纯干法刻蚀对熔石英元件进行表面后 处理，在现有反应离子刻蚀技术基础上，通过在 原料气中添加一定量的氧气，或是在刻蚀完成之 后继续用氧等离子对样品进行一定时间的后处 理，抑制F元素与熔石英基体的结合，抑制或修复 次生缺陷的生成 ，提高元件抗损伤性能提升幅 A 度。 7 6 1 4 4 4 6 1 1 N C CN