半导体装置及其形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113257781 A (43)申请公布日 2021.08.13 (21)申请号 202011350702.4 (22)申请日 2020.11.26 (30)优先权数据 16/787,079 2020.02.11 US (71)申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 地址 中国台湾新竹 (72)发明人 刘键炫　 (74)专利代理机构 北京德恒律治知识产权代理 有限公司 11409 代理人 章社杲　李伟 (51)Int.Cl. H01L 23/522 (2006.01) H01L 23/528 (2006.01) H01L 23/552 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01) 权利要求书1页 说明书14页 附图12页 (54)发明名称 半导体装置及其形成方法 (57)摘要 本发明的实施例提供了一种半导体装置。半 导体装置包括第一部分和垂直导电结构。第一部 分包括：第一介电层；以及第一保护环，位于第一 介电层中。第一保护环包括在第一介电层中第一 金属层连接至第一过孔。垂直导电结构穿过第一 介电层，并且靠近第一保护环。本发明的实施例 还涉及形成半导体装置的方法。 A 1 8 7 7 5 2 3 1 1 N C CN 113257781 A 权　利　要　求　书