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发明

一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法2025

2024-03-31 07:46:15 发布于四川 36
  • 申请专利号：CN202410009479.9
  • 公开（公告）日：2025-07-04
  • 公开（公告）号：CN117776121A
  • 申请人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法，属于短波红外光电材料技术领域，具体为：制备TOPTe前驱体溶液和Hg前驱体溶液，将TOPTe前驱体溶液注入Hg前驱体溶液中，35～50℃搅拌8～10min，得到HgTe量子点籽晶溶液；对油胺溶液进行脱气处理，将HgTe量子点籽晶溶液注入油胺溶液，70～90℃下自聚集生长3～5min，加入淬灭剂，冷却得到待过滤HgTe量子点溶液，采用反溶剂离心清洗多次，干燥得到自聚集生长单分散HgTe量子点。本发明所得HgTe量子点的形状、尺寸均匀性高，可以实现1400～2500nm短波光吸收，具有尺寸可控、低成本的优势。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117776121 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202410009479.9 (22)申请日 2024.01.03 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 太惠玲　 卜一辰　段再华　袁震　 蒋亚东　 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 专利代理师 冯柳 (51)Int.Cl. C01B 19/04 (2006.01) C09K 11/89 (2006.01) B82Y 20/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成 方法 (57)摘要 本发明提供一种自聚集生长单分散HgTe量 子点的合成方法，属于短波红外光电材料技术领 域，具体为：制备TOPTe前驱体溶液和Hg前驱体溶 液，将TOPTe前驱体溶液注入Hg前驱体溶液中，35 ～50℃搅拌8 ～10min，得到HgTe量子点籽晶溶 液；对油胺溶液进行脱气处理，将HgTe量子点籽 晶溶液注入油胺溶液，70 ～90℃下自聚集生长3 ～5min，加入淬灭剂，冷却得到待过滤HgTe量子 点溶液，采用反溶剂离心清洗多次，干燥得到自 聚集生长单分散HgTe量子点

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