1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 电学
发明

极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器件及其制备方法2024

2023-11-16 07:17:38 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310906165.4
  • 公开（公告）日：2024-11-19
  • 公开（公告）号：CN117038711A
  • 申请人：湖北九峰山实验室
摘要：本发明提供一种极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，上述极性氧化镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件包括衬底、缓冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏极；缓冲层和多个沟道依次叠加设于衬底上；沟道由叠加布设的沟道层和势垒层组成；沟道层与势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电子气；两个接触层设于多个沟道的两侧，任一接触层与二维电子气接触，接触层底部与缓冲层相接触，漏极与源极分别设于不同侧的接触层上；两个接触层间的沟道设有多个Trench结构，多个Trench结构间的沟道构成Fin结构，栅极设于Trench结构与Fin结构上，栅极与缓冲层、Fin结构的侧壁和顶部接触；势垒层为ε‑(AlxGa1‑x)2O3层，沟道层为ε‑Ga2O3层。该Fin‑HEMT器件较现有技术具有更高的电子迁移率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038711 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202310906165.4 H01L 21/34 (2006.01) (22)申请日 2023.07.20 (71)申请人 湖北九峰山实验室 地址 430000 湖北省武汉市东湖开发区关 东科技工业园华光大道18号19层 (72)发明人 吴畅　王凯　刘捷龙　郭涛　 邢绍琨　 (74)专利代理机构 武汉蓝宝石专利代理事务所 (特殊普通合伙) 42242 专利代理师 张文静 (51)Int.Cl. H01L 29/10 (2006.01) H01L 29/267 (2006.01) H01L 29/423 (2006.01) H01L 29/778 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 极性氧化镓极化异质结多沟道Fin-HEMT器 件及其制备方法 (57)摘要 本发明提供一种极性氧化镓极化异质结多 沟道Fin‑HEMT器件及其制备方法，上述极性氧化 镓极化异质结多沟道Fin‑HEMT器件包括衬底、缓 冲层、沟道、栅极、接触层、Trench结构、源极和漏 极；缓冲层和多个沟道依次叠加设于衬底上；沟 道由叠加布设的沟道层和势垒层组成；沟道层与 势垒层形成的异质结界面通过极化产生二维电 子气；两个接触层设

最新专利

相关专利