磁控溅射装置和磁控溅射方法
- 申请专利号:CN202111126707.3
- 公开(公告)日:2024-06-14
- 公开(公告)号:CN114381700A
- 申请人:东京毅力科创株式会社
专利内容
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114381700 A (43)申请公布日 2022.04.22 (21)申请号 202111126707.3 (22)申请日 2021.09.26 (30)优先权数据 2020-169360 2020.10.06 JP (71)申请人 东京毅力科创株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 宫下哲也 中村贯人 菊池祐介 (74)专利代理机构 北京尚诚知识产权代理有限 公司 11322 代理人 龙淳 徐飞跃 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图20页 (54)发明名称 磁控溅射装置和磁控溅射方法 (57)摘要 本发明提供一种磁控溅射装置和磁控溅射 方法。磁控溅射装置包括:真空容器;多个溅射机 构,其分别包括靶材、磁体排列体和使磁体排列 体在第一位置与第二位置之间往复移动的移动 机构;电源,为了利用被选择的溅射机构在基片 上进行成膜,而向上述靶材供给电功率来形成等 离子体;向上述真空容器内供给用于形成上述等 离子体的气体的气体供给部;和控制部,在进行 上述成膜时输出控制信号,使得俯视时彼此的上 述磁体排列体的移动路径的延长线交叉的上述 被选择的溅射机构的该磁体排列体与上述未选 择的溅射机构的该磁体排列体以彼此不靠近的 A 方式同步地移动。根据本发明,在进行磁控溅射 0 处理时,能够抑制为了形成等离子