发明

一种高熵碳化物陶瓷小球及其制备方法和应用2024

2024-04-21 07:45:27 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311762755.0
  • 公开(公告)日:2024-04-19
  • 公开(公告)号:CN117902901A
  • 申请人:中国科学院化学研究所
摘要:本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷小球及其制备方法和应用,所述陶瓷球由包括如下重量份的组分制备得到:碳化物粉体50‑65份、粘接剂0.6‑1.2份、pH调节剂0.1‑1.5份、消泡剂0.1‑1.5份、分散剂0.8‑2份。本发明的陶瓷小球的球径范围为20~80μm,且陶瓷小球中杂质氧含量低于1wt%。本发明的陶瓷球可适用于热喷涂工艺制备高熵碳化物陶瓷涂层。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902901 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311762755.0 (22)申请日 2023.12.20 (71)申请人 中国科学院化学研究所 地址 100190 北京市海淀区中关村北一街2 号 (72)发明人 叶丽 赵彤 崔海峰 韩伟健  王鹏  (74)专利代理机构 北京知元同创知识产权代理 事务所(普通合伙) 11535 专利代理师 吕少楠 (51)Int.Cl. C04B 35/56 (2006.01) C04B 35/626 (2006.01) C23C 4/134 (2016.01) C23C 4/10 (2016.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 一种高熵碳化物陶瓷小球及其制备方法和 应用 (57)摘要 本发明公开了一种高熵碳化物陶瓷小球及 其制备方法和应用,所述陶瓷球由包括如下重量 份的组分制备得到:碳化物粉体50‑65份、粘接剂 0.6‑1.2份、pH调节剂0.1‑1.5份、消泡剂0.1‑1.5 份、分散剂0.8‑2份。本发明的陶瓷小球的球径范 围为20 ~80 μm ,且陶瓷小球中杂质氧含量低于 1wt%。本发明的陶瓷球可适用于热喷涂工艺制 备高熵碳化物陶瓷涂层。 A 1 0 9 2 0 9 7 1 1 N C CN 117902

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