半导体器件的形成方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451131 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202010211643.6 (22)申请日 2020.03.24 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造（北京）有限 公司 (72)发明人 岳华聪　 (74)专利代理机构 上海德禾翰通律师事务所 31319 代理人 侯莉 (51)Int.Cl. H01L 21/336(2006.01) 权利要求书3页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 半导体器件的形成方法 (57)摘要 一种半导体器件的形成方法，所述方法在所 述第一掩模层中的第一开口内形成第一切割层 的同时，在第二开口内形成第二切割层，现有的 采用两道工序分别形成第一切割层和第二分割 层相比，可以简化工艺操作步骤，提高工作效率。 同时，在形成所述第二切割层时，可以根据实际 的需要调整第二切割层在第一方向上的尺寸，进 而可以调整分割后的第二开口头到头的距离，满 足多样化的工艺需求。 A 1 3 1 1 5 4 3 1 1 N C CN 113451131 A