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发明

制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用

2023-04-23 09:27:09 发布于四川 4
  • 申请专利号：CN202111201029.2
  • 公开（公告）日：2024-03-15
  • 公开（公告）号：CN113957527A
  • 申请人：杭州电子科技大学
摘要：本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113957527 A (43)申请公布日 2022.01.21 (21)申请号 202111201029.2 (22)申请日 2021.10.14 (71)申请人 杭州电子科技大学 地址 310018 浙江省杭州市钱塘区白杨街 道2号大街1158号 (72)发明人 张骐　吕嘉楠　李馨　徐旻轩　 郑鑫　史月琴　孔哲　 (51) Int.C l. C30B 29/12 (2006.01) C30B 25/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图5页 (54)发明名称 制备二维纳米Cs Cu I 晶体材料的方法及其 3 2 5 应用 (57)摘要 本发明提供了制备二维纳米Cs Cu I 晶体材 3 2 5 料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通 过气相沉积制备二维纳米Cs Cu I 晶体材料。本 3 2 5 发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且 无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs Cu I 纳米结 3 2 5 构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础； 容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。 本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs Cu I

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