发明

一种扩散构件和半导体工艺设备2024

2023-09-24 08:30:19 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310809470.1
  • 公开(公告)日:2024-06-14
  • 公开(公告)号:CN116791065A
  • 申请人:拓荆科技(上海)有限公司
摘要:本发明的实施例提供了一种扩散构件及半导体工艺设备,涉及半导体制造技术领域。扩散构件用于安装在进气口,以进行导流和均流。扩散构件包括扩散件,扩散件具有导流面,扩散件沿扩散件的周向间隔设置有多个导流通道,且导流通道贯穿扩散件。由进气口流入的工艺气体可沿导流面和导流通道流动。其能够提高半导体工艺设备的镀膜厚度的均一性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116791065 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310809470.1 (22)申请日 2023.07.03 (71)申请人 拓荆科技(上海)有限公司 地址 201306 上海市浦东新区中国 (上海) 自由贸易试验区临港新片区鸿音路 1211号10幢304室 (72)发明人 张佳琦 尹艳超 谭华强 方成  吴凤丽  (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 曹灿 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图6页 (54)发明名称 一种扩散构件和半导体工艺设备 (57)摘要 本发明的实施例提供了一种扩散构件及半 导体工艺设备,涉及半导体制造技术领域。扩散 构件用于安装在进气口,以进行导流和均流。扩 散构件包括扩散件,扩散件具有导流面,扩散件 的上沿扩散件的周向间隔设置有多个导流通道, 且导流通道贯穿扩散件。由进气口流入的工艺气 体可沿导流面和导流通道流动。其能够提高半导 体工艺设备的镀膜厚度的均一性。 A 5 6 0 1 9 7 6 1 1 N C CN 116791065 A 权 利 要 求 书

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