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发明

低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法

2023-06-29 07:08:57 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202211569319.7
  • 公开（公告）日：2024-09-27
  • 公开（公告）号：CN116332639A
  • 申请人：上海材料研究所有限公司
摘要：本发明涉及一种低室温电阻率高升阻比的无铅PTC热敏陶瓷材料及制备方法，本发明通过改良钛酸钡基无铅PTC材料的配方以及调整还原气氛组成和配比，采用分段烧结的方式，来优化材料性能。其中第一次烧结过程中，通入还原性气体(CO：N2＝1：4)来消耗氧气并制造还原气氛，从而大幅降低陶瓷的室温电阻率。在第二阶段的再氧化烧结过程中，晶界部分被氧化，使得陶瓷的升阻比大幅提升，达到可与含铅PTC相媲美的优良性能，大大减少环境污染。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116332639 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202211569319.7 C04B 35/01 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) (22)申请日 2022.12.08 C04B 35/64 (2006.01) (71)申请人 上海材料研究所有限公司 C04B 41/88 (2006.01) 地址 200437 上海市虹口区邯郸路99号 H01C 7/02 (2006.01) (72)发明人 曾涛　李诗恒　曾江涛　杜刚　 张永丽　周同彪　 (74)专利代理机构 上海科盛知识产权代理有限 公司 31225 专利代理师 褚明伟 (51)Int.Cl. C04B 35/468 (2006.01) C04B 35/475 (2006.01) C04B 35/50 (2006.01) C04B 35/505 (2006.01) C04B 35/495 (2006.01)

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