一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体的制备方法和应用2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117913284 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410082932.9 (22)申请日 2024.01.19 (71)申请人 哈尔滨理工大学 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学 府路52号 (72)发明人 陈桢　夏波　王茜　陈明华　 (74)专利代理机构 哈尔滨市松花江联合专利商 标代理有限公司 23213 专利代理师 高志光 (51)Int.Cl. H01M 4/66 (2006.01) C25D 9/04 (2006.01) H01M 4/80 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流 体的制备方法和应用 (57)摘要 一种锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流 体的制备方法和应用，它涉及一种铜基集流体的 制备方法和应用。本发明的目的是要解决现有技 术在锂沉积过程中，由于锂离子在电极表面的分 布不均匀，在后续的锂沉积中，优先沉积在锂核 上，从而形成不可控的锂枝晶的问题。本发明制 备的锡修饰氧化亚铜纳米线三维铜基集流体是 先通过电沉积法在泡沫铜表面生长氢氧化铜纳 米线作为前驱体，空气热处理氧化为CuO@Cu ，将 所获得的CuO@Cu浸泡在五水四氯化锡的乙醇溶 液中进行原位置换反应，再通过等离子体还原制 A 得三维Sn@Cu O