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发明

一种Bi2S3/VS2/S复合材料及其制备方法和应用

2023-06-27 09:31:41 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310105866.8
  • 公开（公告）日：2024-11-22
  • 公开（公告）号：CN116282147A
  • 申请人：陕西科技大学
摘要：本发明公开了一种Bi2S3/VS2/S复合材料及其制备方法和应用，属于储能材料制备技术领域，以Bi(NO3)3·5H2O和NH4VO3为原料，采用简单的溶剂热法制得了Bi2S3/VS2，通过热处理法将硫单质进一步原位生长在Bi2S3/VS2的表面，制备了Bi2S3/VS2/S复合材料，该复合材料中，VS2为片层状结构，片状结构有利于镁离子在层间进行脱嵌，Bi2S3作为一种半导体材料，具有高容量的优点，通过将两种材料进行复合，可以调节单一材料的物理化学特性，发挥不同组分的协同作用，两种组分之间的强相互作用还可以增强结构稳定性，改善材料的电荷转移动力学，硫单质还可以进一步为高容量奠定基础。整个制备方法简单，重复性高，制备周期短，反应温度低，降低了能耗和生产成本，适合大规模生产制备。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116282147 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310105866.8 H01M 4/38 (2006.01) H01M 10/054 (2010.01) (22)申请日 2023.02.13 (71)申请人 陕西科技大学 地址 710021 陕西省西安市未央区大学园 (72)发明人 黄剑锋　王怡婷　曹丽云　李嘉胤　 王芳敏　姬宇　王瑜航　黄青青　 (74)专利代理机构 北京中巡通大知识产权代理 有限公司 11703 专利代理师 张晓凯 (51)Int.Cl. C01G 29/00 (2006.01) C01G 31/00 (2006.01) C01B 17/02 (2006.01) H01M 4/58 (2010.01) H01M 4/36 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图1页 (54)发明名称 一种Bi S /VS /S复合材料及其制备方法和 2 3 2 应用 (57)摘要 本发明公开了一种Bi S /VS /S复合材料及 2 3 2

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