一种具有低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的制备方法
- 申请专利号:CN202210523518.8
- 公开(公告)日:2024-06-18
- 公开(公告)号:CN114891198A
- 申请人:西安交通大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114891198 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210523518.8 (22)申请日 2022.05.13 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号 (72)发明人 成永红 张磊 于德梅 (74)专利代理机构 西安恒泰知识产权代理事务 所 61216 专利代理师 赵中霞 (51)Int.Cl. C08G 64/28 (2006.01) C08G 64/18 (2006.01) C08G 64/12 (2006.01) C08L 69/00 (2006.01) C08J 5/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 (54)发明名称 一种具有低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的 制备方法 (57)摘要 本发明提供一种具有低介电损耗的聚氟苯 酯聚合物的制备方法,通过高饱和电子定域结构 和低可极化电子云结构,减小极化损耗,从而降 低聚合物的介电损耗。本发明低介电损耗的聚氟 苯酯聚合物的原料来源广泛,材料成本低廉,可 用于聚合物薄膜电容器。 A 8 9 1 1 9 8 4 1 1 N C CN 114891198 A 权 利 要 求 书 1/2页 1.一种具有低介电损耗的聚氟苯酯聚合物的制备方法,其特征在于,该制