一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118063215 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410189044.7 (22)申请日 2024.02.20 (71)申请人 湖南九山半导体科技有限公司 地址 410000 湖南省长沙市湘江新区麓谷 街道桐梓坡西路519号生产厂房B栋 101一楼G柱以南 (72)发明人 尹宜辉　邓雄志　刘超　王建伟　 王振兴　 (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 李谷丰 (51)Int.Cl. C04B 35/56 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法 (57)摘要 本发明属于碳化物陶瓷制备技术领域，公开 了一种TaC陶瓷先驱体、TaC陶瓷及制备方法。制 备TaC陶瓷先驱体包括以下步骤：S1、将一水合柠 檬酸和五氯化钽粉体加入至无水乙醇中，水浴温 度为10～20℃，得到第一溶液；S2、将S1得到的所 述第一溶液水浴加热至30 ～50℃，加入去离子水 并不断搅拌，保温20 ～40min，得到第二溶液；S3、 向S2得到的所述第二溶液中滴加乙二醇，搅拌均 匀后静置20 ～30min，得到第三溶液；S4、将S3得 到的所述第三溶液水浴加热至50 ～70℃，保温 0.5 ～2h，得到先驱体溶液。