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发明
一种适用气相沉积多孔硅碳负极材料的制备方法2026
2026-05-09 11:59:59
发布于四川
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- 申请专利号：CN202511541011.5
- 公开（公告）日：2026-05-08
- 公开（公告）号：CN122000315A
- 申请人：内蒙古翔福新能源有限责任公司|||包头旭阳硅碳科技有限公司
摘要：本发明公开了一种气相多孔硅碳负极材料的制备方法，包括：（1）通过流化床/回转窑设备气相沉积工艺在多孔碳中沉积硅烷气体和碳源气体形成CVD多孔硅碳材料；（2）对于得到的CVD硅碳材料，进行低温臭氧预处理；（3）将臭氧预处理后的CVD硅碳材料进行ALD原子层沉积，形成材料表面纳米级金属氧化物包覆层。其中臭氧处理工艺方法和ALD技术适用于具有各类初始表面碳层的各类CVD气相硅碳材料的人工包覆层优化，并且可以实现批量均匀稳定的改性效果，在材料的初始容量，首效，抑制体积膨胀方面均具有稳定和积极作用。本发明的方法对于CVD硅碳的二次包覆效果显著，且适合材料的批量制备，可达到显著的材料电化学性能优化效果，方法简便高效。
专利内容
本发明公开了一种气相多孔硅碳负极材料的制备方法，包括：（1）通过流化床/回转窑设备气相沉积工艺在多孔碳中沉积硅烷气体和碳源气体形成CVD多孔硅碳材料；（2）对于得到的CVD硅碳材料，进行低温臭氧预处理；（3）将臭氧预处理后的CVD硅碳材料进行ALD原子层沉积，形成材料表面纳米级金属氧化物包覆层。其中臭氧处理工艺方法和ALD技术适用于具有各类初始表面碳层的各类CVD气相硅碳材料的人工包覆层优化，并且可以实现批量均匀稳定的改性效果，在材料的初始容量，首效，抑制体积膨胀方面均具有稳定和积极作用。本发明的方法对于CVD硅碳的二次包覆效果显著，且适合材料的批量制备，可达到显著的材料电化学性能优化效果，方法简便高效。H01M4/36(2006.01);H01M4/38(2006.01);H01M4/04(2006.01);H01M10/0525(2010.01);H01M4/62(2006.01);C23C16/24(2006.01);C23C16/26(2006.01);C23C16/442(2006.01);C23C16/56(2006.01);C23C16/40(2006.01);C23C16/455(2006.01)
