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一种氧化硅蒸发料的制备方法2025

2023-11-27 07:21:26 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311089964.3
  • 公开(公告)日:2025-04-22
  • 公开(公告)号:CN117105649A
  • 申请人:宁波江丰电子材料股份有限公司
摘要:本发明提供了一种氧化硅蒸发料的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:将氧化硅粉与粘结剂混合后进行球磨,得到混合粉末;将所得混合粉末进行冷等静压,得到坯料;将所得坯料粉碎后进行烧结,得到烧结料;将所得烧结料进行分级过筛,得到氧化硅蒸发料。本发明提供的制备方法制备的氧化硅蒸发料纯度高,致密度高,尤其可以达到99.0%以上,粒度均匀,表面无渣,应用于蒸镀时,性能稳定,蒸镀效果好。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117105649 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311089964.3 (22)申请日 2023.08.28 (71)申请人 宁波江丰电子材料股份有限公司 地址 315400 浙江省宁波市余姚市经济开 发区名邦科技工业园区安山路 (72)发明人 姚力军 潘杰 杨慧珍 廖培君  周友平  (74)专利代理机构 北京远智汇知识产权代理有 限公司 11659 专利代理师 邱华敏 (51)Int.Cl. C04B 35/14 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C23C 14/10 (2006.01) C23C 14/24 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 (54)发明名称 一种氧化硅蒸发料的制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种氧化硅蒸发料的制备方 法,所述制备方法包括如下步骤:将氧化硅粉与 粘结剂混合后进行球磨,得到混合粉末;将所得 混合粉末进行冷等静压,得到坯料;将所得坯料 粉碎后进行烧结,得到烧结料;将所得烧结料进 行分级过筛,得到氧化硅蒸发料。本发明提供的 制备方法制备的氧化硅蒸发料纯度高,致密度 高,尤其可以达到99.0%以上,粒度均匀,表面无 渣,应用于蒸镀时,性能稳定,蒸镀效果好。 A 9 4 6 5 0 1 7 1 1 N C

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