发明

电路板的底吹浸没式熔融分离装置及方法2024

2023-10-26 07:17:54 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310836412.8
  • 公开(公告)日:2024-08-16
  • 公开(公告)号:CN116926340A
  • 申请人:中国矿业大学(北京)
摘要:一种电路板的底吹浸没式熔融分离装置及方法,装置中,熔池本体包括穿设于一侧中上部以导入电路板的进料管以及设于底部的燃烧孔,至少一个熔池燃烧器布置于熔池底部以提供热源,熔池燃烧器具有伸入熔池底部的燃烧孔的燃烧器喷口,沉淀池连通熔池本体,沉淀池的底部高于熔池本体的底部,沉淀池包括位于远离熔池本体一侧的放铜口和放渣口、位于靠近熔池本体另一侧上部的用于导出来自熔池本体的烟气的烟气通道以及位于靠近熔池本体另一侧下部的用于流通的流通通道,挡板自沉淀池靠近熔池本体另一侧朝熔池本体延伸,烟气出口设于沉淀池顶端且远离熔池本体一侧,烟气出口气体连通烟气通道。本装置热效率高。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116926340 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202310836412.8 (22)申请日 2023.07.07 (71)申请人 中国矿业大学(北京) 地址 100083 北京市海淀区学院路丁11号 (72)发明人 林雄超 戚川  (74)专利代理机构 北京智桥联合知识产权代理 事务所(普通合伙) 11560 专利代理师 申庆海 (51)Int.Cl. C22B 21/00 (2006.01) C22B 7/00 (2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图1页 (54)发明名称 电路板的底吹浸没式熔融分离装置及方法 (57)摘要 一种电路板的底吹浸没式熔融分离装置及 方法,装置中,熔池本体包括穿设于一侧中上部 以导入电路板的进料管以及设于底部的燃烧孔, 至少一个熔池燃烧器布置于熔池底部以提供热 源,熔池燃烧器具有伸入熔池底部的燃烧孔的燃 烧器喷口 ,沉淀池连通熔池本体,沉淀池的底部 高于熔池本体的底部,沉淀池包括位于远离熔池 本体一侧的放铜口和放渣口、位于靠近熔池本体 另一侧上部的用于导出来自熔池本体的烟气的 烟气通道以及位于靠近熔池本体另一侧下部的 用于流通的流通通道,挡板自沉淀池靠近熔池本 体另一侧朝熔池本体延伸,烟气出口设于沉淀池 A 顶端且远离熔池本体一侧,烟气出口气体连通烟 0 气通道。本装置热效率高。 4 3 6 2 9 6 1 1 N C CN

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