一种在云母表面外延生长半导体微米线阵列的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116230495 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202211608890.5 C30B 29/12 (2006.01) (22)申请日 2022.12.14 (71)申请人 浙江大学温州研究院 地址 325000 浙江省温州市瓯海区瓯海经 济开发区凤南路26号 (72)发明人 樊超　戴兴良　何海平　 (74)专利代理机构 宁波聚禾专利代理事务所 (普通合伙) 33336 专利代理师 糜婧 (51)Int.Cl. H01L 21/02 (2006.01) B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) C30B 25/00 (2006.01) C30B 29/62 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图3页 (54)发明名称 一种在云母表面外延生长半导体微米线阵 列的方法 (57)摘要 本申请公开了在云母表面外延生长半导体 微米线阵列的方法，包括步骤：首先，在平滑的云 母衬底上构建高吸附区 ；然后，在该云母衬底表 面气相外延生长半导体微米线阵列。本发明通过 在云母表面构建高吸附区，使气相原子优先在该 区域成核，垂直于高吸附区边界外延生长的平面 内微米线具有更大的生长竞争优势，而其它方向 外延生长的平面内微米线的生长前端易被截止 从而停止生