发明

化学气相沉积方法及设备2024

2024-06-01 07:30:06 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202410464724.5
  • 公开(公告)日:2024-06-21
  • 公开(公告)号:CN118064876A
  • 申请人:上海陛通半导体能源科技股份有限公司
摘要:本发明提供一种化学气相沉积方法及设备,方法包括如下步骤:提供一工艺腔,其通过一真空管道连接真空泵,真空管道中设有调节工艺腔抽气流速的蝶阀;将晶圆装载进工艺腔,将工艺腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工艺,在进行化学气相沉积工艺时,真空端压力为小于工艺压力的第一真空压力;将工艺腔压力和真空端压力调节至卸载压力并卸载晶圆,卸载压力小于工艺压力和第一真空压力,通过调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率,使工艺腔的压力始终大于真空端压力。本发明在工艺腔卸载晶圆时通过创造性的方式调节蝶阀的开启角度调整工艺腔的压力变化速率,使工艺腔的压力始终大于真空端压力,有助于减少颗粒污染,提高生产良率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118064876 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202410464724.5 (22)申请日 2024.04.18 (71)申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限 公司 地址 201201 上海市浦东新区庆达路315号 13幢3F (72)发明人 丁金辉 宋维聪 周洁鹏  (74)专利代理机构 上海博杰专利代理事务所 (特殊普通合伙) 31358 专利代理师 朱永梅 (51)Int.Cl. C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 化学气相沉积方法及设备 (57)摘要 本发明提供一种化学气相沉积方法及设备, 方法包括如下步骤:提供一工艺腔,其通过一真 空管道连接真空泵,真空管道中设有调节工艺腔 抽气流速的蝶阀;将晶圆装载进工艺腔,将工艺 腔压力调节至工艺压力并进行化学气相沉积工 艺,在进行化学气相沉积工艺时,真空端压力为 小于工艺压力的第一真空压力;将工艺腔压力和 真空端压力调节至卸载压力并卸载晶圆,卸载压 力小于工艺压力和第一真空压力,通过调节蝶阀 的开启角度调整工艺腔的压力变化速率,使工艺 腔的压力始终大于真空端压力。本发明在工艺腔 卸载晶圆时通过创造性的方式调节蝶阀的开启 A 角度调整工艺腔的压力变化速率,使工艺腔的压 6 力始终大于真空端压力,有

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