一种低腐蚀、低残留的半导体清洗液、制备方法及其用途2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117903890 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311644292.8 (22)申请日 2023.12.04 (71)申请人 浙江奥首材料科技有限公司 地址 324012 浙江省衢州市杜鹃路36号 (72)发明人 侯军　吕晶　任浩楠　隋新　赖鑫　 申海艳　 (74)专利代理机构 深圳云海专利代理事务所 (特殊普通合伙) 44846 专利代理师 王天桂 (51)Int.Cl. C11D 7/16 (2006.01) C11D 7/32 (2006.01) C11D 7/60 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图2页 (54)发明名称 一种低腐蚀、低残留的半导体清洗液、制备 方法及其用途 (57)摘要 本发明涉及一种低残留、低腐蚀的半导体清 洗液，以质量份计，所述清洗液包括超纯水80‑90 份、六氟磷酸盐3‑8份、有机碱10‑30份、螯合剂 0.1‑2份和双组份腐蚀抑制剂0.1‑1份，所述双组 份腐蚀抑制剂包括A剂和B剂，A剂为腺苷、鸟苷中 的至少一种，B剂为聚乙二醇二胺和二巯基聚乙 二醇中的至少一种。所述清洗液尤其是通过双组 份腐蚀抑制剂的使用，可以取得优异的低残留和 低金属腐蚀性能，且清洗简单，在半导体清洗领 域具有优异的技术效果和应用前景。 A 0 9 8 3 0 9 7