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发明

一种耐磨共沉积难熔高熵合金薄膜及其制备方法

2023-07-28 07:18:17 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310471007.0
  • 公开（公告）日：2024-09-17
  • 公开（公告）号：CN116479305A
  • 申请人：西北工业大学|||西安稀有金属材料研究院有限公司
摘要：本发明属于合金材料及其制备技术领域，涉及一种共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：采用磁控共沉积溅射技术向硅基底上同时溅射沉积NbMoWTa和Ag，其中使用直流电源控制NbMoWTa靶溅射，使用射频电源控制Ag靶溅射，通过调控不同的射频功率，获得不同Ag含量的(NbMoWTa)1‑xAgx共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、稳定可控，所得到的薄膜表面光滑、结构致密、无明显缺陷。薄膜硬度高、摩擦低、超耐磨，可为实现难熔高熵合金薄膜在关键润滑部件的应用提供技术基础。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116479305 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310471007.0 B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.04.27 (71)申请人 西北工业大学 地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号 申请人 西安稀有金属材料研究院有限公司 (72)发明人 周青　黄卓斌　王雨琤　罗大微　 邱龙时　王海丰　 (74)专利代理机构 西安恒玖慧通知识产权代理 事务所(普通合伙) 61281 专利代理师 李托弟 (51)Int.Cl. C22C 30/00 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图2页 (54)发明名称 一种耐磨共沉积难熔高熵合金薄膜及其制 备方法 (57)摘要 本发明属于合金材料及其制备技术领域，涉 及一种共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜及其制备 方法。所述的制备方法包括以下步骤：采用磁控 共沉积溅射技术向硅基底上同时溅射沉积 NbMoWTa和Ag ，其中使用直流电源控制NbMoWTa靶

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