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多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备

2023-08-03 07:17:42 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310543003.9
  • 公开(公告)日:2025-04-15
  • 公开(公告)号:CN116514126A
  • 申请人:新特能源股份有限公司|||新特硅基新材料有限公司
摘要:本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备,涉及多晶硅生产的技术领域,其中,方法包括:在第一时段获取第一硅棒组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数据,第二硅棒组环绕第一硅棒组设置;当第一电压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第一预设阈值时,降低第一硅棒组在第一时段的第一电流增量,升高第二硅棒组在第一时段的第二电流增量;根据降低后的第一电流增量增加第一硅棒组的电流,根据升高后的第二电流增量增加第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同硅棒组之间的温差,并基于电流增量的调整实现对不同硅棒组的温度控制,使多晶硅反应炉不同位置的硅棒温度趋近预期温度,提升多晶硅反应炉获得的温控效果。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116514126 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310543003.9 (22)申请日 2023.05.12 (71)申请人 新特能源股份有限公司 地址 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐 市甘泉堡经济技术开发区(工业园)众 欣街2249号 申请人 新特硅基新材料有限公司 (72)发明人 张兆东 刘兴平 冯留建 陈娜娜  (74)专利代理机构 北京银龙知识产权代理有限 公司 11243 专利代理师 欧文芳 (51)Int.Cl. C01B 33/035 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关 设备 (57)摘要 本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制 方法、装置及相关设备,涉及多晶硅生产的技术 领域,其中,方法包括:在第一时段获取第一硅棒 组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数 据,第二硅棒组环绕第一硅棒组设置;当第一电 压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第 一预设阈值时,降低第一硅棒组在第一时段的第 一电流增量,升高第二硅棒组在第一时段的第二 电流增量;根据降低后的第一电流增量增加第一 硅棒组的电流,根据升高后的第二电流增量增加 第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同 A 硅棒组之间的温差,并基于电流增量的调整实现 6 对不同硅棒组的温度控制,使多晶硅反应

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