一种铈钒双金属中空纳米柱阵列式电催化材料及其制备方法和应用2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117904672 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410088685.3 (22)申请日 2024.01.22 (71)申请人 天津渤海职业技术学院 地址 300402 天津市北辰区津榆公路508号 (72)发明人 郜源　张静　李林　吴飞超　 (74)专利代理机构 天津津颂知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 12279 专利代理师 张月 (51)Int.Cl. C25B 11/091 (2021.01) C25B 1/04 (2021.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图6页 (54)发明名称 一种铈钒双金属中空纳米柱阵列式电催化 材料及其制备方法和应用 (57)摘要 本发明提供了一种铈钒双金属中空纳米柱 阵列式电催化材料及其制备方法和应用，包括基 底以及负载在基底上的复合物；所述复合物在基 底上形成中空纳米柱阵列式结构，所述复合物包 括CeO 、V C 和V O 。通过原位生长法在基底上得 2 8 7 2 5 到钒基金属有机框架V‑MOF纳米柱阵列；然后基 于铈与配体的配位结合能更低、形成的结构更加 稳定的原理，利用铈盐进行蚀刻，构筑铈钒MOF中 空纳米柱阵列；最后在氩气气氛下高温碳化，得 到铈钒双金属中空纳米柱阵列式电催化材料。本 发明所述的铈钒双金属中空纳米柱阵列式电催 A 化材料具有催化析氧反应和析氢反应的双重功 2 能，并且催化活性高和稳定性良好。 7 6