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发明

功率放大电路、半导体器件

2023-06-16 07:29:53 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202110153807.9
  • 公开（公告）日：2024-10-29
  • 公开（公告）号：CN113225034A
  • 申请人：株式会社村田制作所
摘要：本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113225034 A (43)申请公布日 2021.08.06 (21)申请号 202110153807.9 (22)申请日 2021.02.04 (30)优先权数据 2020-018150 2020.02.05 JP 2020-132359 2020.08.04 JP (71)申请人 株式会社村田制作所 地址 日本京都府 (72)发明人 德矢浩章　佐藤秀幸　播磨史生　 嶋本健一　田中聪　河野孝透　 敷岛稜纪　黑川敦　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 舒艳君　王海奇 (51)Int.Cl. H03F 3/21 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图9页 (54)发明名称 功率放大电路、半导体器件 (57)摘要 本发明提供功率放大电路、半导体器件，缓 和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具 备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶 体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体 管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置 电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板 (301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电 流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输 出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体 管(101)的发射极电连接，设置

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