一种电化学沉积制备CeO2/NiO涂层的方法及其应用
- 申请专利号:CN202310530408.9
- 公开(公告)日:2025-08-12
- 公开(公告)号:CN116463704A
- 申请人:沈阳大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116463704 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310530408.9 (22)申请日 2023.05.11 (71)申请人 沈阳大学 地址 110000 辽宁省沈阳市大东区望花南 街21号 (72)发明人 朱会敏 张钧 (51)Int.Cl. C25D 9/10 (2006.01) C25D 5/36 (2006.01) C25D 5/50 (2006.01) C25D 5/02 (2006.01) C25D 3/54 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图2页 (54)发明名称 一种电化学沉积制备CeO /NiO涂层的方法 2 及其应用 (57)摘要 本发明涉及CeO /NiO涂层的制备领域,具体 2 涉及一种电化学沉积制备CeO /NiO涂层的方法 2 及其应用,具体制备步骤如下:(1)分步电化学沉 积,获得CeO /Ni复合涂层;(2)热转化,获得 2 CeO /NiO涂层。该方法具有制备过程简单易操 2 作,适用于形状复杂的不锈钢连接体基体等特 点,所制备的CeO 与NiO具有协同改善不锈钢连 2 接体的高温
原创力.专利