一种Mo2C/MoO3片状异质结构气敏材料及其制备方法和应用2026
- 申请专利号:CN202410075224.2
- 公开(公告)日:2026-02-03
- 公开(公告)号:CN117886323A
- 申请人:郑州轻工业大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117886323 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410075224.2 (22)申请日 2024.01.18 (71)申请人 郑州轻工业大学 地址 450000 河南省郑州市高新技术产业 开发区科学大道136号 (72)发明人 张永辉 杨玄宇 赵争光 岳丽娟 巩飞龙 陈俊利 王培远 张浩力 魏世忠 (74)专利代理机构 郑州优盾知识产权代理有限 公司 41125 专利代理师 张真真 (51)Int.Cl. C01B 32/949 (2017.01) C01G 39/02 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种Mo C/MoO 片状异质结构气敏材料及其 2 3 制备方法和应用 (57)摘要 本发明提出了一种Mo C/MoO 片状异质结构 2 3 气敏材料及其制备方法和应用。本发明制备工艺 简单,成本低,通过有机胺插层块状MoO ,得到 3 MoO 纳米片。通过在惰性气氛中高温碳化得到 3 Mo C纳米片,所得到Mo C
原创力.专利