发明

一种Mo2C/MoO3片状异质结构气敏材料及其制备方法和应用2026

2024-04-21 07:21:10 发布于四川 97
  • 申请专利号:CN202410075224.2
  • 公开(公告)日:2026-02-03
  • 公开(公告)号:CN117886323A
  • 申请人:郑州轻工业大学
摘要:本发明提出了一种Mo22C/MoO33片状异质结构气敏材料及其制备方法和应用。本发明制备工艺简单,成本低,通过有机胺插层块状MoO33,得到MoO33纳米片。通过在惰性气氛中高温碳化得到Mo22C纳米片,所得到Mo22C纳米片通过在空气中退火处理得到片状Mo22C/MoO33异质结构。碳化钼具有近似贵金属Pt的较宽d轨道结构,表现出与Pt类似的催化性能,其催化性能有利于传感反应的进行,并且碳化钼具有很好的导电性,有利于传感过程中的电子传输,从而提高了MoO33气敏材料对三乙胺的气敏性能,对三乙胺具有超高的响应(Raa/Rgg=551,50 ppm,110℃)和优异的重复性与选择性,可用于高灵敏检测三乙胺。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117886323 A (43)申请公布日 2024.04.16 (21)申请号 202410075224.2 (22)申请日 2024.01.18 (71)申请人 郑州轻工业大学 地址 450000 河南省郑州市高新技术产业 开发区科学大道136号 (72)发明人 张永辉 杨玄宇 赵争光 岳丽娟  巩飞龙 陈俊利 王培远 张浩力  魏世忠  (74)专利代理机构 郑州优盾知识产权代理有限 公司 41125 专利代理师 张真真 (51)Int.Cl. C01B 32/949 (2017.01) C01G 39/02 (2006.01) G01N 27/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种Mo C/MoO 片状异质结构气敏材料及其 2 3 制备方法和应用 (57)摘要 本发明提出了一种Mo C/MoO 片状异质结构 2 3 气敏材料及其制备方法和应用。本发明制备工艺 简单,成本低,通过有机胺插层块状MoO ,得到 3 MoO 纳米片。通过在惰性气氛中高温碳化得到 3 Mo C纳米片,所得到Mo C

最新专利