发明

电子级多晶硅的尾气处理方法

2023-07-03 10:10:24 发布于四川 1
  • 申请专利号:CN202310349188.X
  • 公开(公告)日:2025-04-08
  • 公开(公告)号:CN116354311A
  • 申请人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要:本发明公开了一种电子级多晶硅的尾气处理方法,在淋洗塔中利用淋洗液对尾气进行淋洗,淋洗液包括有机胺,得到分离气体和分离液,分离气体从淋洗塔的顶部排出,分离气体包括氢气,分离液中包括三氯氢硅、四氯化硅、有机胺和氯化胺;将分离液由淋洗塔输入反应器中,使得分离液与通入反应器的高沸物反应,得到待精馏液,待精馏液包括有机胺、三氯氢硅和四氯化硅,高沸物包括Si2Cl6和Si3Cl8中的至少之一;在精馏塔中对待精馏液进行精馏处理,得到精馏气体和精馏后混合液,精馏气体包括三氯氢硅和四氯化硅,精馏后混合液包括有机胺。该方法生产效率高,成本低,可有效去除电子级多晶硅尾气中的杂质。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116354311 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310349188.X (22)申请日 2023.04.03 (71)申请人 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 地址 221004 江苏省徐州市经济技术开发 区杨山路66号 (72)发明人 吴锋 徐玲锋 马一雷 田新  蒋文武  (74)专利代理机构 北京清亦华知识产权代理事 务所(普通合伙) 11201 专利代理师 季永杰 (51)Int.Cl. C01B 3/52 (2006.01) C01B 33/107 (2006.01) C01B 33/035 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 电子级多晶硅的尾气处理方法 (57)摘要 本发明公开了一种电子级多晶硅的尾气处 理方法 ,在淋洗塔中利用淋洗液对尾气进行淋 洗,淋洗液包括有机胺,得到分离气体和分离液, 分离气体从淋洗塔的顶部排出,分离气体包括氢 气,分离液中包括三氯氢硅、四氯化硅、有机胺和 氯化胺;将分离液由淋洗塔输入反应器中 ,使得 分离液与通入反应器的高沸物反应,得到待精馏 液,待精馏液包括有机胺、三氯氢硅和四氯化硅, 高沸物包括Si Cl 和Si Cl 中的至少之一;在精 2 6 3 8 馏塔中对待精馏液进行精馏处理,得到精馏气体 和精馏后混合液,精馏气体包括三氯氢硅和

最新专利